? 2000 IXYS All rights reserved
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Features
International standard package
Planar passivated chips
Very short recovery time
Extremely low switching losses
Low IRM-values
Soft recovery behaviour
Epoxy meets UL 94V-0
Applications
Antiparallel diode for high frequency
switching devices
Antisaturation diode
Snubber diode
Free wheeling diode in converters
and motor control circuits
Rectifiers in switch mode power
12mAsupplies (SMPS)
Inductive heating
Uninterruptible power supplies (UPS)
Ultrasonic cleaners and welders
Advantages
Avalanche voltage rated for reliable
operation
Soft reverse recovery for low
EMI/RFI
Low IRM
reduces:
- Power dissipation within the diode
- Turn-on loss in the commutating
switch
Dimensions see outlines.pdf
HiPerFREDTM
Epitaxial Diode
with common cathode and soft recovery
A = Anode, C = Cathode, TAB = Cathode
TO-247 AD
C
A
A
A C A
C (TAB)
Pulse test:
Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %
Pulse Width = 300
s, Duty Cycle < 2.0 %
Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
IFAV
VRRM
= 600 V
trr
= 30/35 ns
= 2x 30 A
DSEC 60-06A
DSEC 60-06B
VRSM
VRRM
Type
V V
600 600 DSEC 60-06A
600 600 DSEC 60-06B
Symbol Conditions Maximum Ratings
IFRMS
IFAVM
70 A
rect., d = 0.5; TC
(Vers. A) = 135°C 30 A
T
C
(Vers. B) = 125°C
IFSM
TVJ
= 45°C; t
p
= 10 ms (50 Hz), sine 250 A
EAS
TVJ
= 25°C; non-repetitive 0.2 mJ
IAS
= 1.3 A; L = 180 μH
IAR
VA
= 1.5
·VR typ.; f = 10 kHz; repetitive 0.1 A
TVJ
TVJM
Tstg
-55...+175 °C
175 °C
-55...+150 °C
Ptot
TC
= 25°C 165 W
Md
mounting torque 0.8...1.2 Nm
Weight
typical 6 g
Symbol Conditions Characteristic max. Values
Vers. A Vers. B
IR
TVJ
= 25°C V
R
= VRRM
TVJ
= 150°C V
R
= VRRM
250 250
A
VF
IF
= 30 A; T
VJ
= 150°C 1.25 1.56 V
TVJ
= 25°C 1.60 2.51 V
RthJC
RthCH
0.9 0.9 K/W
0.25 0.25 K/W
trr
IF
= 1 A; -di/dt = 200 A/
s; typ. 35 typ. 30 ns
VR
= 30 V; T
VJ
= 25°C
IRM
VR
= 100 V; I
F
= 50 A; -di
F/dt = 100 A/s typ. 6 typ. 4 A
TVJ
= 100°C
Both Versions
008
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